DDR2 (Double Data Rate 2) SDRAM és un estàndard de tecnologia de memòria de nova generació desenvolupat per JEDEC (Joint Electronic Equipment Engineering Committee). La diferència més gran entre la tecnologia de memòria DDR i la generació anterior estàndard és que, tot i que el mateix utilitza el rellotge creixent / El mètode bàsic de transmissió de dades mentre es retarda la caiguda, però la memòria DDR2 té el doble de la capacitat de lectura prèvia que la memòria DDR de la generació anterior és a dir: dades de 4 bits llegides prèviament). En altres paraules, la memòria DDR2 pot llegir / escriure dades a 4 vegades la velocitat del bus extern per rellotge i pot funcionar a 4 vegades la velocitat del bus de control intern.
1. Principis bàsics:
En comparació amb DDR, la principal millora de DDR2 és que pot proporcionar el doble d'ample de banda de la memòria DDR quan la velocitat del mòdul de memòria és la mateixa. Això s’aconsegueix principalment mitjançant l’ús eficient de dos nuclis DRAM a cada dispositiu. En canvi, la memòria DDR només pot utilitzar un nucli DRAM a cada dispositiu. Tècnicament parlant, encara hi ha només un nucli DRAM a la memòria DDR2, però es pot accedir en paral·lel, processant 4 dades en lloc de dues a cada accés.
Combinada amb la memòria intermèdia de dades que funciona a doble velocitat, la memòria DDR2 pot processar fins a 4 bits de dades en cada cicle de rellotge, que és el doble que les dades de 2 bits que poden processar la memòria DDR tradicional. Una altra millora de la memòria DDR2 és que utilitza empaquetatge FBGA en lloc del mètode tradicional TSOP.
Tot i això, tot i que la memòria DDR2 utilitza la mateixa velocitat de nucli DRAM que la DDR, encara hem d’utilitzar una nova placa base per fer coincidir la memòria DDR2 perquè les especificacions físiques de DDR2 són incompatibles amb DDR. En primer lloc, la interfície és diferent. DDR2 té 240 pins, mentre que la memòria DDR té 184 pins. En segon lloc, el voltatge VDIMM de la memòria DDR2 és 1.8 V, que també és diferent del 2.5 V de la memòria DDR.
A més, atès que l’estàndard DDR2 estableix que totes les memòries DDR2 s’envasen en FBGA, a diferència del paquet TSOP / TSOP-II actualment àmpliament utilitzat, el paquet FBGA pot proporcionar un millor rendiment elèctric i dissipació de calor, que és una memòria DDR2 estable. El treball i el desenvolupament de futures freqüències proporcionen una base sòlida. Recordant el desenvolupament de DDR, des de la primera generació de DDR200 aplicada a ordinadors personals mitjançant DDR266, DDR333 fins a la tecnologia DDR400 de doble canal actual, el desenvolupament de la primera generació de DDR ha assolit el límit de la tecnologia i ha estat difícil millorar memòria mitjançant mètodes convencionals. Amb el desenvolupament de l'última tecnologia de processador d'Intel, el bus frontal requereix cada vegada més amplada de banda de memòria, i la memòria DDR2 amb freqüències de funcionament més altes i estables serà la tendència general.
Abans d’entendre moltes tecnologies noves de memòria DDR2, primer examinem un conjunt de dades que comparen les tecnologies DDR i DDR2.
1) Problema de retard:
Com es pot veure a la taula anterior, sota la mateixa freqüència bàsica, la freqüència de funcionament real de DDR2 és el doble que la de DDR. Això es deu al fet que la memòria DDR2 té el doble de capacitat de lectura prèvia 4BIT que la memòria DDR estàndard. Dit d’una altra manera, tot i que DDR2, com el DDR, utilitza el mètode bàsic de transmissió de dades al mateix temps que el retard de pujada del rellotge i el retard de caiguda, DDR2 té el doble de capacitat que DDR per llegir prèviament les dades d’ordres del sistema. Dit d’una altra manera, amb la mateixa freqüència de funcionament de 100 MHz, la freqüència real de DDR és de 200 MHz, mentre que DDR2 pot arribar als 400 MHz.
D’aquesta manera, sorgeix un altre problema: a la memòria DDR i DDR2 amb la mateixa freqüència de funcionament, la latència de la memòria d’aquesta última és més lenta que la primera. Per exemple, DDR 200 i DDR2-400 tenen el mateix retard, mentre que aquest últim té el doble d'ample de banda. De fet, DDR2-400 i DDR 400 tenen el mateix ample de banda, tots dos són de 3.2 GB / s, però la freqüència de funcionament principal de DDR400 és de 200 MHz i la freqüència de funcionament principal de DDR2-400 és de 100 MHz, cosa que significa el retard de DDR2 -400 És superior a DDR400.
2) Encapsulació i generació de calor:
L’avenç més gran de la tecnologia de memòria DDR2 no és que els usuaris pensin el doble de la capacitat de transmissió que DDR, però amb una generació de calor menor i un consum d’energia més baix, DDR2 pot aconseguir avenços i avenços més ràpids. El límit de 400 MHz de DDR estàndard.
La memòria DDR sol estar empaquetada en un xip TSOP. Aquest paquet pot funcionar bé a 200 MHz. Quan la freqüència és més alta, els seus llargs pins generaran una alta impedància i capacitat paràsita, que afectaran el seu rendiment. La dificultat d’estabilitat i freqüència augmenta. És per això que és difícil que la freqüència bàsica de DDR passi per 275 MHz. I la memòria DDR2 adopta el formulari de paquet FBGA. A diferència del paquet TSOP actualment àmpliament utilitzat, el paquet FBGA proporciona un millor rendiment elèctric i dissipació de calor, cosa que proporciona una bona garantia per al funcionament estable de la memòria DDR2 i el desenvolupament de futures freqüències.
La memòria DDR2 utilitza un voltatge d’1.8 V, molt inferior a l’estàndard DDR de 2.5 V, proporcionant així un consum d’energia significativament menor i menys calor. Aquest canvi és significatiu.
2. Noves tecnologies adoptades per DDR2:
A més de les diferències esmentades anteriorment, DDR2 també introdueix tres noves tecnologies, que són OCD, ODT i Post CAS.
OCD (Controlador fora de xip): és l’anomenat ajust de la unitat fora de línia. DDR II pot millorar la integritat del senyal mitjançant OCD. DDR II ajusta el valor de resistència de pujada / baixada per igualar les dues tensions. Utilitzeu OCD per millorar la integritat del senyal reduint la inclinació de DQ-DQS; millorar la qualitat del senyal controlant el voltatge.
ODT: ODT és la resistència de terminació del nucli incorporat. Sabem que es necessita un gran nombre de resistències terminals a la placa base mitjançant DDR SDRAM per evitar que el senyal es reflecteixi al terminal de la línia de dades. Augmenta molt el cost de fabricació de la placa base. De fet, diferents mòduls de memòria tenen requisits diferents per al circuit de terminació. La mida de la resistència de terminació determina la relació del senyal i la reflectivitat de la línia de dades. Si la resistència de terminació és petita, la reflexió del senyal de la línia de dades és baixa, però la relació senyal-soroll també és baixa; Si la resistència de terminació és elevada, la relació senyal-soroll de la línia de dades serà elevada, però també augmentarà la reflexió del senyal. Per tant, la resistència de terminació de la placa base no pot coincidir molt bé amb el mòdul de memòria i afectarà la qualitat del senyal fins a cert punt. El DDR2 pot construir resistències de terminació adequades segons les seves pròpies característiques, per garantir la millor forma d'ona de senyal. L’ús de DDR2 no només pot reduir el cost de la placa base, sinó que també obté la millor qualitat de senyal, que no és igual a DDR.
Publicació CAS: Està configurat per millorar l'eficiència d'ús de la memòria DDR II. En l'operació Post CAS, el senyal CAS (lectura / escriptura / ordre) es pot inserir un cicle de rellotge després del senyal RAS i l'ordre CAS pot romandre vàlida després del retard addicional (latència additiva). El tRCD original (RAS a CAS i endarreriment) se substitueix per AL (latència additiva), que es pot establir en 0, 1, 2, 3, 4. Com que el senyal CAS es col·loca un cicle de rellotge després del senyal RAS, l'ACT i els senyals CAS no xoquen mai.
En general, DDR2 utilitza moltes noves tecnologies per millorar moltes de les deficiències de DDR. Tot i que actualment presenta moltes deficiències en termes de costos elevats i latència lenta, es creu que amb la millora i millora contínua de la tecnologia, aquests problemes acabaran resolt-se. .
El nostre altre producte:
